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首页 全部分类 IXYH40N120B3D1 vs IRG7PH44K10DPBF

IXYH40N120B3D1备选型号: IRG7PH44K10DPBF

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 元素配置
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYH40N120B3D1
    IXYS
    IGBT 1200V 86A 480W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    480W
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    22 ns
    480W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.9V
    86A
    100 ns
    TO-247AD
    1200V
    84 ns
    2.9V @ 15V, 40A
    411 ns
    87nC
    180A
    22ns/177ns
    2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH44K10DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 70A 320W TO247AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    320W
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    320W
    -
    N-CHANNEL
    2.4V
    70A
    130 ns
    -
    1200V
    -
    2.4V @ 15V, 25A
    -
    200nC
    100A
    75ns/315ns
    2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
    -
    7.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    2.4V
    EAR99
    70ns
    Single
    115ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无
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