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首页 全部分类 IXYH40N120C3D1 vs IRG4PH50UDPBF

IXYH40N120C3D1备选型号: IRG4PH50UDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • 终端
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 上升时间
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYH40N120C3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    4.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    480W
    3
    Single
    480W
    COLLECTOR
    Standard
    24 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    64A
    195ns
    TO-247AD
    1200V
    99 ns
    4V @ 15V, 40A
    178 ns
    85nC
    105A
    24ns/125ns
    3.9mJ (on), 660μJ (off)
    20V
    5V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PH50UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    3.7V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    超快
    200W
    -
    Single
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    47 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.7V
    45A
    90 ns
    TO-247AC
    1200V
    73 ns
    3.7V @ 15V, 24A
    570 ns
    160nC
    180A
    47ns/110ns
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
    -
    -
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    e3
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    1.2kV
    45A
    24ns
    无SVHC
    无
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