IXYH50N120C3D1备选型号: IXYH40N120C3D1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 90A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD28 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV4.2V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2013活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定625W3Single625WCOLLECTORStandard24 ns电源控制N-CHANNEL1.2kV90A195nsTO-247AD1200V82 ns4V @ 15V, 50A372 ns142nC210A28ns/133ns3mJ (on), 1mJ (off)20V5V21.46mm16.26mm5.3mmROHS3 Compliant无铅
- IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT28 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV4.8V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2013活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定480W3Single480WCOLLECTORStandard24 ns电源控制N-CHANNEL1.2kV64A195nsTO-247AD1200V99 ns4V @ 15V, 40A178 ns85nC105A24ns/125ns3.9mJ (on), 660μJ (off)20V5V21.46mm16.26mm5.3mmROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXYH30N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
![]() | IXYH40N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors GenX3 1200V XPT IGBT | 对比 |
![]() | IRG7PH42U-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 90A 385W TO247AD | 对比 |




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