IXYH50N120C3D1
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IXYS IXYH50N120C3D1

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型号

IXYH50N120C3D1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXYH50N120C3D1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 90A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD

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IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1 IXYS Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 90A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD

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IXYH50N120C3D1详情

IXYS IXYH50N120C3D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    4.2V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    600V, 50A, 5 Ω, 15V

  • Turn Off Delay Time

    240 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX3™, XPT™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 最大功率耗散

    625W

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    625W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    90A

  • 反向恢复时间

    195ns

  • JEDEC-95代码

    TO-247AD

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 接通时间

    82 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    4V @ 15V, 50A

  • 关断时间-标准值(toff)

    372 ns

  • 闸门收费

    142nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    210A

  • Td(开/关)@25°C

    28ns/133ns

  • 开关能量

    3mJ (on), 1mJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5V

  • 高度

    21.46mm

  • 长度

    16.26mm

  • 宽度

    5.3mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和IXYS & IXYH50N120C3D1相似的参数规格。

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IXYH50N120C3D1拓展信息

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