IXYH82N120C3备选型号: IXYX100N120C3
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD28 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV2.75V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2008活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定1.25kW3不合格Single1.04kWCOLLECTORStandard29 ns1250W电源控制N-CHANNEL1.2kV200ATO-247AD1200V119 ns3.2V @ 15V, 82A295 ns215nC380A29ns/192ns4.95mJ (on), 2.78mJ (off)20V5V21.46mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅--
- IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT28 Weeks通孔通孔TO-247-3247SILICON1.2kV2.9V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2011活跃1 (Unlimited)3-雪崩 额定1.15kW3-Single1.15kWCOLLECTORStandard32 ns1150W电源控制N-CHANNEL1.2kV188A-1200V122 ns3.5V @ 15V, 100A265 ns270nC490A32ns/123ns6.5mJ (on), 2.9mJ (off)20V5V21.34mm16.13mm5.21mm-ROHS3 Compliant无铅unknownR-PSIP-T3
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXGH30N120B3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 300W TO247AD | 对比 |
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 160A TO247 | 对比 | |
![]() | IXYX100N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT | 对比 |




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