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首页 全部分类 IXYN80N90C3H1 vs APT50GP60J

IXYN80N90C3H1备选型号: APT50GP60J

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  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 无铅
  • IXYS
    IXYN80N90C3H1
    IXYS
    IGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    30.000004g
    900V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    XPT™, GenX3™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    500W
    Single
    500W
    Standard
    900V
    115A
    25μA
    4.55nF
    2.7V @ 15V, 80A
    无
    4.55nF @ 25V
    9.6mm
    38.23mm
    25.07mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT50GP60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    600V
    -
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    329W
    Single
    -
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    5.7nF
    2.7V @ 15V, 50A
    无
    5.7nF @ 25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 3 weeks ago)
    SILICON
    yes
    4
    低导通损耗
    600V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    100A
    4
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    55 ns
    202 ns
    PT
    无铅
  • 添加型号
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