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首页 全部分类 IXYP20N65C3D1M vs STGF19NC60KD

IXYP20N65C3D1M备选型号: STGF19NC60KD

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  • 晶体管应用
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYP20N65C3D1M
    IXYS
    IGBT 650V 18A 50W TO220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    6.000006g
    650V
    2.27V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    50W
    Single
    Standard
    50W
    2.5V
    18A
    30 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    PT
    30nC
    105A
    19ns/80ns
    430μJ (on), 350μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF19NC60KD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 16A 32W TO220FP
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    32W
    Single
    Standard
    -
    600V
    16A
    31 ns
    2.75V @ 15V, 12A
    -
    55nC
    75A
    30ns/105ns
    165μJ (on), 255μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    3
    EAR99
    STGF19
    3
    32W
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    38 ns
    270 ns
    20V
    6.5V
    无
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