IXYY8N90C3备选型号: STGD10NC60HT4
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 最大击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX324 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633.949996gSILICON900V2.5V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2014活跃1 (Unlimited)2雪崩 额定125W鸥翼4R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard125W电源控制N-CHANNEL2.5V20ATO-252AA39 ns2.5V @ 15V, 8A238 ns13.3nC48A16ns/40ns460μJ (on), 180μJ (off)20V6VROHS3 Compliant----------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-SILICON600V--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™-活跃1 (Unlimited)2-60W鸥翼3R-PSSO-G2Single-Standard60W电源控制N-CHANNEL600V20A-19 ns2.5V @ 15V, 5A247 ns19.2nC-14.2ns/72ns31.8μJ (on), 95μJ (off)20V5.75VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3e3EAR99Matte Tin (Sn) - annealed260STGD10600V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details | 对比 |
![]() | STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | IRG4RC20FTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 22A 66W DPAK | 对比 |





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