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首页 全部分类 JAN1N3957 vs 1N6620

JAN1N3957备选型号: 1N6620

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 系列
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 自然的热阻
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 应用
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 正向电流
  • 正向电压
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • 反向电流-最大值
  • Microsemi Corporation
    JAN1N3957
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    A, Axial
    2
    SILICON
    1
    Military, MIL-PRF-19500/228
    Bulk
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    175°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    WIRE
    2
    MIL-19500
    Qualified
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 300V
    1.1V @ 1A
    ISOLATED
    -65°C~175°C
    1A
    1000V
    1kV
    1A
    1μA
    1kV
    30A
    38 °C/W
    Non-RoHS Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    1N6620
    Microsemi Corporation
    Diode Switching 220V 1.2A 2-Pin Case A
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    A, Axial
    2
    SILICON
    1
    -
    Bulk
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    WIRE
    2
    -
    不合格
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    500nA @ 220V
    1.4V @ 1.2A
    ISOLATED
    -65°C~150°C
    -
    -
    220V
    1.2A
    -
    220V
    20A
    -
    Non-RoHS Compliant
    -
    Lead, Tin
    1997
    超快恢复
    未说明
    未说明
    1.2A
    1.6V
    1
    30 ns
    10pF @ 10V 1MHz
    0.5μA
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