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JAN1N6167US备选型号: 1N6167A

JAN1N6167US

Microsemi Corporation

Diode TVS Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW 2-Pin G-MELF

IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)
表面贴装
表面贴装
SQ-MELF, C
2
SILICON
1
-55°C~175°C TJ
Bulk
Military, MIL-PRF-19500/516
1997
e0
no
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
Zener
Tin/Lead (Sn/Pb)
通用型
END
环绕
225
20
2
MIL
Qualified
UNIDIRECTIONAL
Single
ISOLATED
无
99.28V
1500W 1.5kW
9.41A
5μA
158.87V
151.3V
9.9A
1.5kW
双向
12mA
1
83.6V
Non-RoHS Compliant
-
-
-
-
-
1N6167A

Microsemi Corporation

Diode TVS Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW 2-Pin Case G

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
通孔
通孔
B, Axial
2
SILICON
1
-55°C~175°C TJ
Bulk
-
1997
e0
no
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
Zener
铜基锡铅
通用型
-
WIRE
-
-
2
-
-
双向
Single
ISOLATED
无
104.5V
1500W 1.5kW
9.9A
5μA
-
151.3V
9.9A
1.5kW
-
12mA
-
-
Non-RoHS Compliant
17 Weeks
Lead, Tin
HIGH RELIABILITY
5μA
104.5V
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	1N6167A	Microsemi Corporation	TVS - 二极管	B, Axial	Diode TVS Single Bi-Dir 86.6V 1.5KW 2-Pin Case G	对比