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JAN1N6170备选型号: 1N6170US

JAN1N6170

Microsemi Corporation

Diode TVS Single Bi-Dir 114V 1.5KW 2-Pin Case G

通孔
通孔
Axial
2
SILICON
1
-55°C~175°C TJ
Bulk
Military, MIL-PRF-19500/516
1997
e0
no
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
Zener
Tin/Lead (Sn/Pb)
通用型
HIGH RELIABILITY
WIRE
Qualified
Single
ISOLATED
无
135.38V
1500W 1.5kW
6.94A
5μA
216.62V
206.3V
7.3A
1.5kW
双向
8mA
1
Non-RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1N6170US

Microsemi Corporation

Diode TVS Single Bi-Dir 114V 1.5KW 2-Pin G-MELF

表面贴装
-
MELF
2
SILICON
114V
-
Bulk
-
1997
e0
no
活跃
-
2
EAR99
-
锡铅
-
HIGH RELIABILITY
环绕
-
Single
ISOLATED
-
-
-
-
5μA
-
206.3V
7.3A
1.5kW
双向
8mA
-
Non-RoHS Compliant
8 Weeks
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
175°C
-55°C
8541.10.00.50
END
2
跨压抑制二极管
1500W
142.5V
无
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	SMCJ100CA	Bourns Inc.	TVS - 二极管	DO-214AB, SMC	TVS DIODE 100V 162V SMC	对比
	1N6170US	Microsemi Corporation	TVS - 二极管	MELF	Diode TVS Single Bi-Dir 114V 1.5KW 2-Pin G-MELF	对比