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JAN1N6639US备选型号: 1N6640US

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  • 二极管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向电流-最大值
  • Microsemi Corporation
    JAN1N6639US
    Microsemi Corporation
    Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SQ-MELF, B
    2
    SILICON
    175°C
    -65°C
    1
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/609
    1999
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    冶金结合
    8541.10.00.70
    END
    环绕
    MIL-19500/609D
    Qualified
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100nA @ 75V
    1.2V @ 300mA
    ISOLATED
    300mA
    -65°C~175°C
    0.3A
    4 ns
    100nA
    75V
    2.5A
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    1N6640US
    Microsemi Corporation
    Diode Switching 50V 0.3A 2-Pin B-MELF
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SQ-MELF, D
    2
    SILICON
    175°C
    -65°C
    1
    Bulk
    -
    1999
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    锡铅
    -
    8541.10.00.70
    END
    环绕
    -
    不合格
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100nA @ 50V
    1V @ 200mA
    ISOLATED
    300mA
    -65°C~175°C
    0.3A
    4 ns
    -
    50V
    2.5A
    -
    Non-RoHS Compliant
    Lead, Tin
    未说明
    未说明
    300mA DC
    1V
    75V
    300mA
    0.1μA
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