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首页 全部分类 JAN2N2919U vs BFU630F,115

JAN2N2919U备选型号: BFU630F,115

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  • 资历状况
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 增益
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 源Url状态检查日期
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • Microsemi Corporation
    JAN2N2919U
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6-Pin Case U
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, No Lead
    6
    SILICON
    30mA
    200°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/355
    2007
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.21.00.95
    350mW
    235
    20
    MIL-19500
    Qualified
    SEPARATE, 2 ELEMENTS
    NPN
    2 NPN (Dual)
    60V
    30mA
    150 @ 1mA 5V
    10μA ICBO
    300mV @ 100μA, 1mA
    70V
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BFU630F,115
    NXP USA Inc.
    TRANSISTOR NPN SOT343F
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    SOT-343F
    -
    -
    30mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    -
    -
    90 @ 5mA 2V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    BFU630
    4
    200mW
    13dB ~ 22.5dB
    5.5V
    21GHz
    2013-06-14 00:00:00
    0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
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