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首页 全部分类 JAN2N3810U vs IMT4T108

JAN2N3810U备选型号: IMT4T108

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 参考标准
  • 资历状况
  • 极性
  • 功率耗散
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    JAN2N3810U
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin Case U
    23 Weeks
    表面贴装
    通孔
    TO-78-6 Metal Can
    6
    SILICON
    2
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/336
    2002
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    350mW
    MIL-19500
    Qualified
    PNP
    350mW
    2 PNP (Dual)
    60V
    50mA
    150 @ 1mA 5V
    10μA ICBO
    250mV @ 100μA, 1mA
    60V
    5V
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    IMT4T108
    ROHM Semiconductor
    TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    SILICON
    120V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2005
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡银铜
    300mW
    -
    -
    PNP
    300mW
    2 PNP (Dual)
    500mV
    50mA
    180 @ 2mA 6V
    500nA ICBO
    500mV @ 1mA, 10mA
    -120V
    -5V
    无
    ROHS3 Compliant
    8541.21.00.75
    -120V
    鸥翼
    260
    -50mA
    10
    MT4
    6
    Dual
    AMPLIFIER
    140MHz
    140MHz
    120V
    0.5 V
    无SVHC
    无铅
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