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JANS1N5614US备选型号: JAN1N5553US

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  • 包装/外壳
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  • Operating Temperature (Min)
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  • 二极管类型
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 工作温度 - 结点
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  • 正向电压
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 应用
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 资历状况
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 输出电流-最大值
  • 相位的数量
  • Microsemi Corporation
    JANS1N5614US
    Microsemi Corporation
    Diode Switching 200V 1A 2-Pin A-MELF
    SQ-MELF, A
    表面贴装
    表面贴装
    2
    A, SQ-MELF
    -65°C
    200°C
    Military, MIL-PRF-19500/427
    活跃
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1.3V @ 3A
    -65°C~200°C
    200V
    1A
    1.3V
    2 μs
    500nA
    200V
    30A
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    JAN1N5553US
    Microsemi Corporation
    Diode Switching 800V 5A 2-Pin B-MELF
    SQ-MELF, B
    表面贴装
    表面贴装
    2
    -
    -65°C
    175°C
    Military, MIL-PRF-19500/420
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1.3V @ 9A
    -65°C~175°C
    -
    3A
    1.3V
    2 μs
    1μA
    800V
    100A
    无
    Non-RoHS Compliant
    8 Weeks
    SILICON
    1
    Bulk
    1997
    1 (Unlimited)
    2
    POWER
    8541.10.00.80
    END
    环绕
    Qualified
    1μA @ 800V
    ISOLATED
    5A
    3A
    1
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