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首页 全部分类 JANSR2N7389 vs SPA08N80C3XKSA1

JANSR2N7389备选型号: SPA08N80C3XKSA1

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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    JANSR2N7389
    Microsemi Corporation
    P CHANNEL MOSFET TO-39
    通孔
    通孔
    TO-205AF Metal Can
    3
    TO-205AF (TO-39)
    6.5A Tc
    -55°C~150°C
    Tray
    Military, MIL-PRF-19500/630
    1997
    Obsolete
    不适用
    150°C
    -55°C
    P-Channel
    350mOhm @ 6.5A, 12V
    4V @ 1mA
    45nC @ 12V
    100V
    ±20V
    6.5A
    20V
    有
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA08N80C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    650m Ω @ 5.1A, 10V
    3.9V @ 470μA
    60nC @ 10V
    -
    ±20V
    8A
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    800V
    SINGLE
    8A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    40W
    ISOLATED
    25 ns
    SWITCHING
    无卤素
    1100pF @ 100V
    15ns
    7 ns
    TO-220AB
    800V
    8A
    0.65Ohm
    24A
    无铅
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