Infineon Technologies SPA08N80C3XKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

800V

端子位置

SINGLE

额定电流

8A

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 5.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 470μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

800V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅