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首页 全部分类 JANTX1N5809US vs 1N5809US

JANTX1N5809US备选型号: 1N5809US

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  • 安装类型
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  • 二极管元件材料
  • Operating Temperature (Min)
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  • 已出版
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  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 应用
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 正向电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    JANTX1N5809US
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
    12 Weeks
    SQ-MELF, B
    表面贴装
    表面贴装
    2
    SILICON
    5W
    -65°C
    175°C
    1997
    Military, MIL-PRF-19500/477
    Bulk
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    超快恢复
    HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
    8541.10.00.80
    END
    环绕
    MIL-19500
    Qualified
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 100V
    875mV @ 4A
    ISOLATED
    -65°C~175°C
    3A
    875mV
    100V
    3A
    1
    30 ns
    60pF @ 10V 1MHz
    125A
    Non-RoHS Compliant
    无
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    1N5809US
    Microsemi Corporation
    Diode Switching 100V 6A 2-Pin E-MELF
    7 Weeks
    SQ-MELF, B
    表面贴装
    表面贴装
    2
    SILICON
    1
    -65°C
    175°C
    1997
    -
    Bulk
    e0
    no
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier
    超快恢复
    HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
    8541.10.00.80
    END
    环绕
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 100V
    875mV @ 4A
    ISOLATED
    -65°C~175°C
    3A
    875mV
    100V
    3A
    1
    30 ns
    60pF @ 10V 1MHz
    125A
    Non-RoHS Compliant
    有
    含铅
    EAR99
    未说明
    未说明
    6A
    5μA
    100V
    not_compliant
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