JANTX2N6790备选型号: 2N3019

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 直径
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
    通孔
    通孔
    TO-205AF Metal Can
    SILICON
    3.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/555
    1997
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    辐射硬化
    BOTTOM
    WIRE
    未说明
    未说明
    O-MBCY-W3
    Qualified
    SINGLE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    850m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    14.3nC @ 10V
    200V
    ±20V
    3.5A
    TO-39
    0.8Ohm
    14A
    200V
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    TRANS NPN 80V 1A TO-39
    通孔
    通孔
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    SILICON
    80V
    175°C TJ
    Tube
    -
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    BOTTOM
    WIRE
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    4.535924g
    500mV
    yes
    140V
    800mW
    1A
    100MHz
    2N30
    3
    Single
    800mW
    100MHz
    NPN
    NPN
    80V
    1A
    100 @ 150mA 10V
    10nA ICBO
    500mV @ 50mA, 500mA
    100MHz
    140V
    7V
    9.4mm
    6.6mm
    9.4mm
    9.4mm
    无SVHC
    无铅
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