Microsemi Corporation JANTX2N6790

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/555

已出版

1997

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

辐射硬化

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

3.5A

JEDEC-95代码

TO-39

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14A

DS 击穿电压-最小值

200V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant