JANTXV2N6796U备选型号: AUIRFR120Z
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 包装
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V 8ALead, Tin表面贴装表面贴装18-CLCC16SILICON8A Tc4V @ 250μABulkMilitary, MIL-PRF-19500/5571997-55°C~150°C TJe0noObsolete1 (Unlimited)15EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)HIGH RELIABILITYQUAD无铅未说明未说明MIL-19500/557R-CQCC-N15QualifiedSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSOURCEN-ChannelSWITCHING195m Ω @ 8A, 10V28.51nC @ 10V100V±20V8A20V8A0.195Ohm32A100V134 mJNon-RoHS Compliant-----------------
- MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAKTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON8.7A Tc4V @ 25μATubeHEXFET®2010-55°C~175°C TJ--Obsolete1 (Unlimited)2EAR99-AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼---R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 5.2A, 10V10nC @ 10V-±20V8.7A20V----20 mJ符合RoHS标准190MOhmSingle35W8.3 ns310pF @ 25V26ns23 ns2VTO-252AA100V2 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | 对比 |
![]() | AUIRFR120Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | 对比 |



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