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首页 全部分类 JDV2S09FSTPL3 vs S1GHE

JDV2S09FSTPL3备选型号: S1GHE

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  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 速度
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    JDV2S09FSTPL3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Varactor Diodes Variable CAP Diode 10V Vr 2.1CT 11pF
    12 Weeks
    表面贴装
    2-SMD, Flat Lead
    2
    fSC
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    11.1pF
    Single
    Standard - Single
    11.1pF @ 1V 1MHz
    10V
    10V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    S1GHE
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE
    10 Weeks
    表面贴装
    2-SMD, Flat Lead
    -
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    3pF
    Single
    Standard
    3pF @ 4V 1MHz
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    6mg
    SILICON
    1
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    DUAL
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F2
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    1μA @ 400V
    1.1V @ 1A
    CATHODE
    1A
    -55°C~175°C
    1A
    400V
    1A
    782 ns
    20nA
    400V
    20A
    175°C
    750μm
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