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JDV2S09FSTPL3

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Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3

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对比

型号

JDV2S09FSTPL3

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-JDV2S09FSTPL3

商品类别

二极管 - 射频

封装

2-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Varactor Diodes Variable CAP Diode 10V Vr 2.1CT 11pF

起订量

1最小包装量--

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JDV2S09FSTPL3

JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage Varactor Diodes Variable CAP Diode 10V Vr 2.1CT 11pF

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技术参数

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型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

2-SMD, Flat Lead
引脚数

2
供应商器件包装

fSC
操作温度

150°C TJ
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2004
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终端

SMD/SMT
电容量

11.1pF
元素配置

Single
二极管类型

Standard - Single
电容@Vr, F

11.1pF @ 1V 1MHz
电压 - 峰值反向（最大值）

10V
反向电压(直流电)

10V
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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