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首页 全部分类 KSD261CGTA vs MPSA12

KSD261CGTA备选型号: MPSA12

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    KSD261CGTA
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    240mg
    SILICON
    20V
    180mV
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    500mW
    BOTTOM
    500mA
    KSD261
    Single
    500mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    20V
    500mA
    200 @ 100mA 1V
    100nA ICBO
    400mV @ 50mA, 500mA
    20V
    40V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MPSA12
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 20V TO-92
    OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    201mg
    -
    20V
    1V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2002
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    20V
    625mW
    -
    10mA
    MPSA12
    Single
    625mW
    -
    -
    NPN - Darlington
    20V
    100nA
    20000 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    1V @ 10μA, 10mA
    20V
    20V
    10V
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    TO-92-3
    150°C
    -55°C
    NPN
    625mW
    20V
    1.2A
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