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价格梯度

内地含税价

1

￥1.03269
500

￥0.759332
1000

￥0.632777
2000

￥0.580532
5000

￥0.542551
10000

￥0.504695
15000

￥0.488101
50000

￥0.479941

ON Semiconductor KSC900GTA

Name: KSC900GTA
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-KSC900GTA
Price: 1.03 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

KSC900GTA

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-KSC900GTA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

起订量

--最小包装量--

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KSC900GTA ON Semiconductor TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

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ON Semiconductor KSC900GTA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数

3
供应商器件包装

TO-92-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V
Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV
Current-Collector (Ic) (Max)

50mA
Number of Elements

1
hFEMin

120
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Box (TB)
已出版

2002
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
电压 - 额定直流

25V
最大功率耗散

250mW
额定电流

50mA
频率

100MHz
基本部件号

KSC900
极性

NPN
元素配置

Single
功率耗散

250mW
功率 - 最大

250mW
增益带宽积

100MHz
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

25V
最大集电极电流

50mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500μA 3V
最大集极截止电流

50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 2mA, 20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

25V
频率转换

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

30V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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KSC900GTA拓展信息

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