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首页 全部分类 KSH112GTM vs 2DB1182Q-13

KSH112GTM备选型号: 2DB1182Q-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    KSH112GTM
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    100V
    2V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    1.75W
    2A
    KSH112
    NPN
    Single
    20W
    NPN - Darlington
    100V
    2A
    1000 @ 2A 3V
    20μA
    3V @ 40mA, 4A
    25MHz
    100V
    5V
    2A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    2DB1182Q-13
    Diodes Incorporated
    TRANS PNP 32V 2A TO252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    32V
    -800mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    10W
    -
    2DB1182
    -
    Single
    10W
    PNP
    32V
    2A
    120 @ 500mA 3V
    1μA ICBO
    800mV @ 200mA, 2A
    -
    40V
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    Tin
    3
    3.949996g
    SILICON
    2011
    e3
    yes
    2
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    110MHz
    40
    R-PSSO-G2
    COLLECTOR
    SWITCHING
    110MHz
    PNP
    110MHz
    32V
    无SVHC
    无
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