ON Semiconductor KSH112GTM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.75W

额定电流

2A

基本部件号

KSH112

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

20W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 2A 3V

最大集极截止电流

20μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 4A

频率转换

25MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

2A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅