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首页 全部分类 KSP43TA vs 2N5550TA

KSP43TA备选型号: 2N5550TA

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  • 晶体管类型
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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ON Semiconductor
    KSP43TA
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    2 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    240mg
    SILICON
    1
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    625mW
    BOTTOM
    500mA
    50MHz
    KSP43
    Single
    625mW
    AMPLIFIER
    50MHz
    NPN
    NPN
    200V
    500mA
    40 @ 30mA 10V
    100nA ICBO
    500mV @ 2mA, 20mA
    50MHz
    200V
    200V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    2N5550TA
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    240mg
    SILICON
    140V
    250mV
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    140V
    625mW
    BOTTOM
    600mA
    300MHz
    2N5550
    Single
    625mW
    AMPLIFIER
    300MHz
    NPN
    NPN
    140V
    600mA
    60 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    250mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    140V
    160V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
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