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首页 全部分类 L6387E vs TC1427CPA

L6387E备选型号: TC1427CPA

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 接口IC类型
  • 座位高度(最大)
  • STMicroelectronics
    L6387E
    STMicroelectronics
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -45°C~125°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    750mW
    17V Max
    DUAL
    1
    15V
    400kHz
    L6387
    8
    650mA
    15V
    750mW
    110 ns
    Inverting
    110 ns
    50ns
    30 ns
    50ns 30ns
    Independent
    2
    0.65A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    400mA 650mA
    YES
    600V
    3.32mm
    10.92mm
    6.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC1427CPA
    Microchip Technology
    TC1427CPA; Dual MOSFET Power Driver 1.2A; 4.5 to 16V; Non-Inverting; 8-Pin PDIP
    -
    -
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    -
    Low-Side
    0°C~70°C TA
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    4.5V~16V
    DUAL
    2
    -
    -
    TC1427
    8
    -
    4.5/16V
    -
    -
    Non-Inverting
    -
    -
    -
    35ns 25ns
    Independent
    2
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    YES
    -
    -
    9.5mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    NO
    2002
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    NOT APPLICABLE
    NOT APPLICABLE
    R-PDIP-T8
    不合格
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    5.08mm
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