L6395D备选型号: IRS2607DSTRPBF
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- 包装
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- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 基本部件号
- 最大输出电流
- 最大电源电流
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 驱动器数量
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 输出的数量
- 资历状况
- 功率耗散
- 输出电流
- 传播延迟
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 输出峰值电流限制-名
- 关断时间
- 高压侧电压-最大值(自举)
- Driver 600V 0.43A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SO N TubeACTIVE (Last Updated: 6 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTube活跃3 (168 Hours)8EAR99800mW10V~20VDUAL鸥翼未说明115V未说明L6395430mA150μANon-Inverting600V290mA75ns 35ns基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器Independent2IGBT, N-Channel MOSFET290mA 430mAYES1.5mm5mm4mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------------
- IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete2 (1 Year)8EAR99625mW10V~20VDUAL鸥翼260115V30IRS2607DSPBF350mA-Non-Inverting--150ns 50ns全桥mosfet驱动器Independent2IGBT, N-Channel MOSFET200mA 350mAYES1.4986mm4.9784mm3.9878mm-符合RoHS标准-1996e3200OhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier1不合格625mW200mA715 ns50 ns220ns80 ns0.2A0.7 μs600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NCP5109BDR2G | ON Semiconductor | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R | 对比 | |
![]() | IRS2608DSPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 对比 |
![]() | IRS2607DSTRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC | 对比 |




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