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首页 全部分类 L6398D vs IRS2607DSTRPBF

L6398D备选型号: IRS2607DSTRPBF

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  • 无铅
  • 已出版
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • STMicroelectronics
    L6398D
    STMicroelectronics
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    800mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    15V
    800kHz
    L6398
    2
    580V
    430mA
    15V
    90μA
    800mW
    290mA
    200 ns
    Inverting, Non-Inverting
    200 ns
    75ns
    35 ns
    75ns 35ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 430mA
    600V
    1.65mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2607DSTRPBF
    Infineon Technologies
    IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    15V
    -
    IRS2607DSPBF
    1
    -
    350mA
    -
    -
    625mW
    200mA
    715 ns
    Non-Inverting
    50 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    全桥mosfet驱动器
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    1996
    e3
    200Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    1
    30
    不合格
    2
    0.2A
    YES
    0.7 μs
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