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首页 全部分类 L6491D vs MIC4225YM-TR

L6491D备选型号: MIC4225YM-TR

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  • 基本部件号
  • JESD-30代码
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  • 最大输出电流
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  • 信道型
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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 输出电流流向
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    L6491D
    STMicroelectronics
    L6491 Series 10 to 20 V Surface Mount High and Low-Side 4 A Gate Driver -SOIC-14
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    活跃
    3 (168 Hours)
    14
    EAR99
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    L6491
    R-PDSO-G14
    不合格
    4A
    15V
    Non-Inverting
    15ns 15ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    4A 4A
    OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    水槽
    8.65mm
    1.75mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4225YM-TR
    Microchip Technology
    Gate Drivers Dual 4A High Speed MOSFET Drivers with Enable
    -
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    Low-Side
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    4.5V~18V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    MIC4225
    -
    -
    4A
    -
    Inverting, Non-Inverting
    15ns 15ns
    -
    Independent
    2
    N-Channel MOSFET
    4A 4A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    8-SOIC
    2009
    125°C
    -40°C
    2
    18V
    无铅
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