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首页 全部分类 L6569AD vs IRS2608DSPBF

L6569AD备选型号: IRS2608DSPBF

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  • 端子表面处理
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  • 功能数量
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 电源电流
  • 最大电源电流
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  • 输出特性
  • 输入特性
  • 信道型
  • 驱动器数量
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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • STMicroelectronics
    L6569AD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS L6569AD Dual Power Half Bridge OSC, 10V-16.6V Supply, 270mA Out, Delay, SOIC-8
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    10V~16.6V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    12V
    200kHz
    30
    L6569
    8
    618V
    275mA
    12V
    25mA
    25mA
    RC输入电路
    TOTEM-POLE
    触发器
    Synchronous
    2
    0.275A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    170mA 270mA
    YES
    600V
    1.25mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2608DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    -
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IRS2608DSPBF
    -
    620V
    350mA
    -
    -
    -
    Inverting, Non-Inverting
    -
    -
    Independent
    2
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    -
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SOIC
    1996
    SMD/SMT
    200Ohm
    125°C
    -40°C
    625mW
    2
    20V
    10V
    625mW
    200mA
    380 ns
    60 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
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