L6571AD013TR备选型号: IRS2607DSTRPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 供电
- 基本部件号
- 输出的数量
- 最大输出电流
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 电源电流
- 最大电源电流
- 输入类型
- 信道型
- 驱动器数量
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率耗散
- 输出电流
- 传播延迟
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 输出峰值电流限制-名
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- IC DRVR HALF-BRG W/OSC HV 8-SOICACTIVE (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SOHalf-Bridge-40°C~150°C TJCut Tape (CT)Obsolete3 (168 Hours)125°C-40°C10V~16.6VL65712275mA16.6V10V25mA25mARC输入电路Synchronous2IGBT, N-Channel MOSFET170mA 270mA600V无SVHC无Non-RoHS Compliant----------------------------
- IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete2 (1 Year)--10V~20VIRS2607DSPBF1350mA----Non-InvertingIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET200mA 350mA600V--符合RoHS标准1996e38EAR99200OhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier625mWDUAL鸥翼260115V30不合格625mW200mA715 ns50 ns220ns80 ns150ns 50ns全桥mosfet驱动器0.2AYES0.7 μs1.4986mm4.9784mm3.9878mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS2608DSPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 对比 |
![]() | IRS2607DSTRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRS2609DSPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 对比 |



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