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LF353N备选型号: KF353

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 引脚数量
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  • 电源
  • 通道数量
  • 工作电源电流
  • 电源电流
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  • 建筑学
  • 放大器类型
  • 共模拒绝率
  • 输入偏正电流
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  • 输入失调电压(Vos)
  • 负电源电压(Vsup)
  • 统一增益 BW-（标准值）
  • 电压增益
  • 电源抑制比
  • 低偏移
  • 频率补偿
  • 电压 - 输入断态
  • 低偏压
  • 输入失调电流-最大值(IIO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电路数量
  • 功率耗散
  • 电流源
  • 增益带宽积
  • 最大双电源电压
  • Texas Instruments
    LF353N
    Texas Instruments
    IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    2.721554g
    0°C~70°C
    Tube
    BI-FET II™
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    DUAL
    2
    15V
    LF353
    8
    18V
    +-15V
    2
    3.6mA
    3.6mA
    6.5mA
    13V/μs
    VOLTAGE-FEEDBACK
    J-FET
    70 dB
    50pA
    10V~36V ±5V~18V
    10mV
    -15V
    4000 kHz
    100dB
    70dB
    NO
    YES
    5mV
    YES
    0.004μA
    3.3mm
    9.27mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KF353
    ON Semiconductor
    IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    -
    0°C~70°C
    Tube
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    KF353
    -
    -
    -
    2
    3.6mA
    6.5mA
    -
    13V/μs
    -
    J-FET
    70 dB
    50pA
    -
    10mV
    -
    -
    100dB
    70dB
    -
    -
    5mV
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    8-DIP
    2
    2001
    70°C
    0°C
    2
    500mW
    3.6mA
    4MHz
    18V
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