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首页 全部分类 LF411CN vs LF356N

LF411CN备选型号: LF356N

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  • 包装/外壳
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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 功能数量
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  • 基本部件号
  • 最大电流源
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  • 功率耗散
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  • 建筑学
  • 放大器类型
  • 共模拒绝率
  • 输入偏正电流
  • 电压 - 电源，单/双路（±）
  • 输入失调电压(Vos)
  • 带宽
  • 负电源电压(Vsup)
  • 统一增益 BW-（标准值）
  • 电压增益
  • 平均偏置电流-最大值 (IIB)
  • 电源抑制比
  • 低偏移
  • 频率补偿
  • 电压 - 输入断态
  • 低偏压
  • 最大偏置电流 (IIB) @25C
  • 双电源电压
  • 输入失调电流-最大值(IIO)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 包装方式
  • 输出电流
  • Texas Instruments
    LF411CN
    Texas Instruments
    IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    通孔
    通孔
    8
    1.8mA
    BI-FET II™
    Tube
    0°C~70°C
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    670mW
    15V
    DUAL
    1
    2.54mm
    LF411
    3.4mA
    1
    670mW
    1.8mA
    15V/μs
    VOLTAGE-FEEDBACK
    J-FET
    70 dB
    50pA
    10V~36V ±5V~18V
    2mV
    4MHz
    -15V
    4000 kHz
    106.02dB
    0.0002μA
    70dB
    NO
    YES
    800μV
    YES
    0.0002μA
    9V
    0.025μA
    6.35mm
    9.27mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
  • Texas Instruments
    LF356N
    Texas Instruments
    IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    通孔
    通孔
    8
    5mA
    BI-FET™
    Tube
    0°C~70°C
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    670mW
    15V
    DUAL
    1
    2.54mm
    LF356
    10mA
    1
    670mW
    5mA
    12V/μs
    VOLTAGE-FEEDBACK
    J-FET
    80 dB
    30pA
    ±15V
    10mV
    -
    -15V
    5000 kHz
    106.02dB
    0.0002μA
    80dB
    NO
    YES
    3mV
    YES
    0.0002μA
    -
    0.002μA
    6.35mm
    9.27mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    RAIL
    25mA
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