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首页 全部分类 LKK47-06C5 vs IPW60R040C7XKSA1

LKK47-06C5备选型号: IPW60R040C7XKSA1

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-30代码
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    LKK47-06C5
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 600V 47A 5-Pin(5 Tab) ISOPLUS 264
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS264™
    5
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    5
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    480W
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 44A, 10V
    3.9V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    190nC @ 10V
    20ns
    600V
    10 ns
    47A
    20V
    600V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R040C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 24.9A, 10V
    4V @ 1.24mA
    4340pF @ 400V
    107nC @ 10V
    -
    -
    -
    50A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    R-PSFM-T3
    无卤素
    ±20V
    600V
    0.04Ohm
    211A
    249 mJ
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