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首页 全部分类 LM211DR vs LM211QD

LM211DR备选型号: LM211QD

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  • 电压 - 输入断态 （最小值）
  • 最大输入偏正电流
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • Texas Instruments
    LM211DR
    Texas Instruments
    IC DIFF COMPARATOR W/STRB 8-SOIC
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Gold
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    72.603129mg
    1
    Cut Tape (CT)
    -40°C~85°C
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    通用型
    TR
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    LM211
    8
    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
    28V
    6mA
    50mA
    6mA
    6mA
    165 ns
    3.5V~30V ±1.75V~15V
    50mA
    3mV
    -15V
    106.02dB
    100nA
    9V
    100nA
    3mV @ ±15V
    0.1μA @ ±15V
    3.91mm
    4.9mm
    1.75mm
    1.58mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
  • Texas Instruments
    LM211QD
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS LM211QD. HIGH SPEED COMPARATOR, SINGLE, 115NS SOIC8
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    1
    Tube
    -40°C~125°C
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    通用型
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    LM211
    8
    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
    28V
    6mA
    50mA
    6mA
    6mA
    165 ns
    3.5V~30V ±1.75V~15V
    50mA
    3mV
    -15V
    106.02dB
    -
    9V
    100nA
    3mV @ ±15V
    0.1μA @ ±15V
    3.91mm
    4.9mm
    1.75mm
    1.58mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
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