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LM239DR2G备选型号: LM339DR

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  • 输入偏置电流
  • 电压 - 输入断态 （最小值）
  • 最大输入偏正电流
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 包装方式
  • 端子间距
  • 平均偏置电流-最大值 (IIB)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 器件厚度
  • ON Semiconductor
    LM239DR2G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR LM239DR2G IC, GEN PUR COMP, QUAD, 1.3 uS, SOIC-14
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    14
    4
    -25°C~85°C
    Cut Tape (CT)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    通用型
    1W
    DUAL
    鸥翼
    260
    4
    5V
    40
    LM239
    14
    CMOS, Open-Collector, TTL
    5V
    1
    2mA
    1W
    16mA
    2mA
    2.5mA
    1.3 μs
    3V~36V ±1.5V~18V
    无卤素
    16mA
    5mV
    106.02dB
    36V
    250nA
    9V
    250nA
    5mV @ 5V
    0.25μA @ 5V
    16mA @ 5V
    1.5mm
    8.75mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    LM339DR
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS LM339DR DIFFERENTIAL COMPARATOR, QUAD 0.3 uS SOIC-14
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    14
    -
    0°C~70°C
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    Differential
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    4
    5V
    -
    LM339
    14
    CMOS, MOS, Open-Collector, TTL
    5V
    4
    800μA
    -
    20mA
    500μA
    2.5mA
    1.3 μs
    2V~30V ±1V~15V
    -
    6mA
    2mV
    106.02dB
    36V
    250nA
    -
    -25nA
    5mV @ 30V
    0.25μA @ 5V
    20mA
    1.75mm
    8.65mm
    3.91mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    122.413241mg
    Matte Tin (Sn)
    TR
    1.27mm
    0.05μA
    70°C
    1.58mm
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