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首页 全部分类 LM5101BMA vs TPS2814D

LM5101BMA备选型号: TPS2814D

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  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 静态电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 最大功率耗散
  • 输出的数量
  • 电源
  • 功率耗散
  • 最大电源电流
  • 输出特性
  • 输入特性
  • 接口IC类型
  • 高度
  • 器件厚度
  • Texas Instruments
    LM5101BMA
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    9V~14V
    DUAL
    鸥翼
    235
    1
    12V
    LM5101
    8
    118.3V
    2A
    2mA
    2A
    26 ns
    200μA
    Non-Inverting
    4 ns
    100V
    570ns
    430 ns
    570ns 430ns
    Independent
    2
    0.056 µs
    2A
    N-Channel MOSFET
    2A 2A
    YES
    0.056 µs
    118V
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    TPS2814D
    Texas Instruments
    IC DUAL HS FET DRIVER 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~125°C TA
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    4V~14V
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    10V
    TPS2814
    8
    -
    2A
    5mA
    2A
    50 ns
    -
    Inverting, Non-Inverting
    50 ns
    -
    35ns
    35 ns
    14ns 15ns
    Synchronous
    -
    0.05 µs
    2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    2A 2A
    YES
    0.05 µs
    -
    4.9mm
    -
    3.91mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    75.891673mg
    730mW
    2
    10V
    730mW
    200nA
    TOTEM-POLE
    触发器
    基于NAND门的MOSFET驱动器
    1.75mm
    1.58mm
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