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首页 全部分类 LM5101M vs LM5104M

LM5101M备选型号: LM5104M

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 接口IC类型
  • 信道型
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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 终端
  • 输出的数量
  • 最大电源电流
  • 静态电流
  • 最大输出电压
  • 输出极性
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    LM5101M
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    9V~14V
    DUAL
    鸥翼
    235
    1
    12V
    LM5101
    8
    550mV
    1.8A
    1.5mA
    1.8A
    56 ns
    Non-Inverting
    10 ns
    600ns
    600 ns
    600ns 600ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    0.056 µs
    1.8A
    N-Channel MOSFET
    1.6A 1.6A
    0.045 µs
    UNDER VOLTAGE
    118V
    1.45mm
    4.9mm
    3.9mm
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    LM5104M
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    e0
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    9V~14V
    DUAL
    鸥翼
    235
    1
    12V
    LM5104
    8
    118.3V
    1.8A
    3mA
    1.8A
    56 ns
    Inverting, Non-Inverting
    56 ns
    600ns
    600 ns
    600ns 600ns
    -
    Synchronous
    -
    0.056 µs
    1.8A
    N-Channel MOSFET
    1.6A 1.6A
    0.056 µs
    UNDER VOLTAGE
    118V
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    NRND (Last Updated: 2 days ago)
    SMD/SMT
    2
    3mA
    400μA
    550mV
    真倒
    1.58mm
    无SVHC
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