LM5104M备选型号: LM5104MX

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 静态电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 输出极性
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 驱动器数量
  • 座位高度(最大)
  • Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    NRND (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    e0
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    9V~14V
    DUAL
    鸥翼
    235
    1
    12V
    LM5104
    8
    2
    118.3V
    1.8A
    3mA
    1.8A
    3mA
    56 ns
    400μA
    Inverting, Non-Inverting
    56 ns
    550mV
    600ns
    600 ns
    真倒
    600ns 600ns
    Synchronous
    0.056 µs
    1.8A
    N-Channel MOSFET
    1.6A 1.6A
    0.056 µs
    UNDER VOLTAGE
    118V
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无SVHC
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e0
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    9V~14V
    DUAL
    鸥翼
    235
    1
    12V
    LM5104
    8
    -
    -
    1.8A
    3mA
    1.8A
    3mA
    56 ns
    400μA
    Inverting, Non-Inverting
    56 ns
    -
    600ns
    600 ns
    -
    600ns 600ns
    Synchronous
    0.056 µs
    1.8A
    N-Channel MOSFET
    1.6A 1.6A
    0.056 µs
    UNDER VOLTAGE
    118V
    -
    4.9mm
    3.9mm
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    no
    2
    1.75mm
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