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首页 全部分类 LM5112SD vs SM74101SDX/NOPB

LM5112SD备选型号: SM74101SDX/NOPB

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  • 描述:
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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 静态电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 输出特性
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 输出极性
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 终端形式
  • 资历状况
  • Texas Instruments
    LM5112SD
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
    NRND (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    Low-Side
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e0
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    3.5V~14V
    DUAL
    260
    1
    12V
    0.95mm
    LM5112
    6
    1
    7A
    2mA
    7A
    2mA
    40 ns
    1mA
    Inverting, Non-Inverting
    40 ns
    TOTEM-POLE
    14ns
    12 ns
    真倒
    14ns 12ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.04 µs
    7A
    N-Channel MOSFET
    3A 7A
    NO
    0.04 µs
    800μm
    3mm
    3mm
    800μm
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    SM74101SDX/NOPB
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    Low-Side
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    Matte Tin (Sn)
    3.5V~14V
    DUAL
    -
    1
    12V
    0.95mm
    SM74101
    6
    1
    7A
    -
    -
    2mA
    -
    -
    Inverting, Non-Inverting
    -
    TOTEM-POLE
    -
    -
    -
    14ns 12ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.04 µs
    7A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 7A
    NO
    0.04 µs
    800μm
    3mm
    3mm
    800μm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6 Weeks
    yes
    无铅
    不合格
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