Texas Instruments LM5112SD/NOPB
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LM5112SD/NOPB
2502-LM5112SD/NOPB
PMIC - 栅极驱动器
6-WDFN Exposed Pad
大陆
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
--最小包装量--
LM5112SD/NOPB详情
Texas Instruments LM5112SD/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.3V
Driver Configuration
Low-Side
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~125°C TJ
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
3.5V~14V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
12V
端子间距
0.95mm
基本部件号
LM5112
引脚数量
6
最大输出电流
7A
电压
5V
工作电源电流
2mA
输出电流
7A
最大电源电流
2mA
传播延迟
40 ns
静态电流
1mA
输入类型
Inverting, Non-Inverting
接通延迟时间
40 ns
输出特性
TOTEM-POLE
上升时间
14ns
下降时间(典型值)
12 ns
输出极性
真倒
上升/下降时间(Typ)
14ns 12ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Single
驱动器数量
1
接通时间
0.04 µs
输出峰值电流限制-名
7A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
3A 7A
高边驱动器
NO
关断时间
0.04 µs
宽度
3mm
长度
3mm
高度
800μm
器件厚度
800μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LM5112SD/NOPB拓展信息
Texas Instruments
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