LM5112SDX备选型号: LM5112SD
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出的数量
- 资历状况
- 最大输出电流
- 电源电流
- 输出电流
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 静态电流
- 输入类型
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 接通延迟时间
- 输出特性
- 输出极性
- 高度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad6Low-Side-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)e0不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)3.5V~14VDUAL无铅260112V0.95mmnot_compliant未说明LM511261不合格7A2mA7A2mA40 ns1mAInverting, Non-Inverting14ns12 ns14ns 12ns基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器Single0.04 µs7AN-Channel MOSFET3A 7ANO0.04 µs3mm0.8mm3mmNon-RoHS Compliant含铅-------
- IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad6Low-Side-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)e0不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)3.5V~14VDUAL-260112V0.95mm--LM511261-7A2mA7A2mA40 ns1mAInverting, Non-Inverting14ns12 ns14ns 12ns基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器Single0.04 µs7AN-Channel MOSFET3A 7ANO0.04 µs3mm-3mmNon-RoHS Compliant含铅NRND (Last Updated: 4 days ago)40 nsTOTEM-POLE真倒800μm800μm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SM74101SDX/NOPB | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 6-WDFN Exposed Pad | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON | 对比 |
| MAX1720EUTG | ON Semiconductor | PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | IC REG SWTCHD CAP INV 50MA 6TSOP | 对比 | |
![]() | LM5112SD/NOPB | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 6-WDFN Exposed Pad | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON | 对比 |



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