LM5113TME/NOPB备选型号: LM5113SDE/NOPB

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 输出的数量
  • 资历状况
  • 最大输出电流
  • 电源
  • 工作电源电流
  • 输出电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 输出特性
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 输出极性
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 接通时间
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工作电源电压
  • 传播延迟
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
    NRND (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    12-WFBGA, DSBGA
    12
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    4.5V~5.5V
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    5V
    0.4mm
    未说明
    LM5113
    2
    不合格
    5A
    5V
    2mA
    5A
    Non-Inverting
    28 ns
    OPEN-DRAIN
    7ns
    1.5 ns
    TRUE
    7ns 1.5ns
    Independent
    0.045 µs
    N-Channel MOSFET
    1.2A 5A
    YES
    0.045 µs
    107V
    675μm
    0m
    0m
    420μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    10-WDFN Exposed Pad
    10
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    4.5V~5.5V
    DUAL
    -
    260
    1
    5V
    0.8mm
    -
    LM5113
    2
    -
    5A
    5V
    100μA
    5A
    Non-Inverting
    2 ns
    OPEN-DRAIN
    4ns
    4 ns
    TRUE
    7ns 1.5ns
    Independent
    0.045 µs
    N-Channel MOSFET
    1.2A 5A
    YES
    0.045 µs
    107V
    800μm
    4mm
    4mm
    750μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    5V
    30 ns
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