Texas Instruments LM5113TME/NOPB
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LM5113TME/NOPB
2502-LM5113TME/NOPB
PMIC - 栅极驱动器
12-WFBGA, DSBGA
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
--最小包装量--
LM5113TME/NOPB详情
Texas Instruments LM5113TME/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 4 days ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
12-WFBGA, DSBGA
引脚数
12
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
1.76V 1.89V
Turn Off Delay Time
26.5 ns
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
12
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
0.4mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
LM5113
输出的数量
2
资历状况
不合格
最大输出电流
5A
电源
5V
工作电源电流
2mA
输出电流
5A
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
28 ns
输出特性
OPEN-DRAIN
上升时间
7ns
下降时间(典型值)
1.5 ns
输出极性
TRUE
上升/下降时间(Typ)
7ns 1.5ns
信道型
Independent
接通时间
0.045 µs
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1.2A 5A
高边驱动器
YES
关断时间
0.045 µs
高压侧电压-最大值(自举)
107V
高度
675μm
长度
0m
宽度
0m
器件厚度
420μm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LM5113TME/NOPB拓展信息
Texas Instruments
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