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首页 全部分类 LMN200B01-7 vs SI3443DV

LMN200B01-7备选型号: SI3443DV

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  • 引脚数量
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  • 配置
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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
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  • 最小直流增益（hFE）
  • VCEsat-最大值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    LMN200B01-7
    Diodes Incorporated
    PNP Transistor and N-MOSFET with Pull Down Resistor 6-Pin SOT-26 T/R
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    负载开关
    内置偏置电阻
    -50V
    200mA PNP 115mA N-Channel
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    LMN200
    6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased
    0.115A
    2Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.3W
    0.2A
    60
    0.3 V
    5 pF
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    SI3443DV
    ON Semiconductor
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    4A Ta
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    -
    4A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    36mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    Single
    1.6W
    11 ns
    P-Channel
    65m Ω @ 4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    640pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    19ns
    20V
    ±8V
    19 ns
    -4A
    -700mV
    8V
    -20V
    无SVHC
    无
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