LMN200B02-7备选型号: MMDT5551-7-F

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 最大功率耗散
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最高频率
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益(hFE)
  • VCEsat-最大值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 频率
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 连续集电极电流
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    MCU LOAD SWITCH 200MA SOT-363
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    -300mV
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    负载开关
    内置偏置电阻
    -50V
    200mA PNP 115mA N-Channel
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    LMN200
    6
    PNP
    SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased
    50V
    200mA
    200MHz
    0.115A
    2Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -50V
    -5V
    60
    0.3 V
    5 pF
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    200mV
    160V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    160V
    200mA
    200mW
    -
    鸥翼
    260
    40
    MMDT5551
    6
    NPN
    -
    -
    SWITCHING
    2 NPN (Dual)
    160V
    200mA
    -
    -
    -
    -
    180V
    6V
    -
    -
    -
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    300MHz
    Dual
    200mW
    300MHz
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    160V
    200mA
    无SVHC
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MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Trans GP BJT NPN/PNP 160V/150V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R 对比