LMN400B01-7备选型号: FDC637BNZ
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 应用
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 集电极电流-最大值(IC)
- 最小直流增益(hFE)
- VCEsat-最大值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 电阻
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Bipolar Transistors - Pre-Biased ARRAY TRANSISTOR SOT-2619 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-661Tape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)150°C-55°C负载开关内置偏置电阻-50V400mA PNP 115mADUAL鸥翼26040LMN4006不合格SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND RESISTOR增强型MOSFETSWITCHINGPNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased0.115A2OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.3W0.4A700.3 V5 pFROHS3 Compliant无铅---------------------------
- Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-666.2A TaTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)------DUAL鸥翼------增强型MOSFETSWITCHING---------ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)36mgSILICON-55°C~150°C TJPowerTrench®24MOhm1Single800mW8 nsN-Channel24m Ω @ 6.2A, 4.5V1.5V @ 250μA895pF @ 10V12nC @ 4.5V6ns±12V6 ns6.2A800mV12V20V150°C800 mV1.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 | 对比 | |
| FDC637BNZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
![]() | CPH6341-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 6-Pin CPH T/R | 对比 |




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